Дорогие друзья!
Сайт переехал по новому адресу:
Данный сайт далее поддерживаться на будет. Добро пожаловать!
Анатолий Васильевич Ржанов (09.04.1920-25.07.2000)
Крупнейший ученый в области полупроводниковой микроэлектроники и физики поверхности полупроводников, академик.
Воевал, был тяжело ранен на Ленинградском фронте. Награжден боевыми медалями и орденами.
Уже в 1948 году блестяще заканчивает аспирантуру Физического института им. Лебедева и начинает первые в СССР работы по созданию полупроводникового транзистора.
В 1962 году по приглашению академика М.А.Лаврентьева он с группой сотрудников ФИАНа переезжает в новосибирский Академгородок, где организует Институт физики твердого тела и полупроводниковой электроники (впоследствии Институт физики полупроводников).
Достижения института были отмечены пятью Государственными премиями и Премией Совета министров СССР. Анатолий Васильевич много сил отдавал воспитанию молодых кадров. Он руководил многочисленными аспирантами, организовал при НГУ кафедру физики полупроводников, долгие годы являясь ее бессменным руководителем. В числе его учеников три члена-корреспондента РАН, десятки докторов и кандидатов наук.
Долгое время он являлся заместителем председателя Сибирского отделения АН СССР, был членом бюро Научного совета по физике и химии полупроводников, главным редактором журнала "Микроэлектроника", председателем комиссии по элементной базе Комитета по вычислительной технике АН СССР. В течение многих лет представлял СССР в Международном вакуумном союзе.
Награжден орденами Трудового Красного Знамени, Октябрьской революции, Ленина, "За заслуги перед Отечеством" IV степени.
Его именем названа улица в Советском районе Новосибирска.
Табличка размещена на здании Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова по пр. Лаврентьева, 13 со стороны пр. Лаврентьева.
